拋光液

　　拋光液特性
　　拋光液是一種不含任何硫、磷、氯添加劑的水溶性拋光劑，具有良好的去油污，防銹，清洗和增光性能，并能使金屬制品超過原有的光澤。本產(chǎn)品性能穩(wěn)定、無毒，對環(huán)境無污染等作用，光液使用方法：包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產(chǎn)品經(jīng)過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光；1拋光劑投放量為（根據(jù)不同產(chǎn)品的大小，光飾機的大小和各公司的產(chǎn)品光亮度要求進行適當配置），2：拋光時間：根據(jù)產(chǎn)品的狀態(tài)來定。3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。
　　
　　英文名
　　polishing slurry
　　拋光液
　　CMP（Chemical Mechanical Polishing）
　　
　　化學機械拋光
　　這兩個概念主要出現(xiàn)在半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，完美性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為完美的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是目前能夠實現(xiàn)全局平面化的唯一有效方法。
　　步驟
　　依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：
　　（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
　　（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。
　　硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。
　　產(chǎn)品
　　硅材料拋光液
　　藍寶石拋光液
　　砷化鎵拋光液
　　鈮酸鋰拋光液
　　鍺拋光液
　　集成電路多次銅布線拋光液
　　集成電路阻擋層拋光液
　　應用
　　1. LED行業(yè)
　　目前LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度極高，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現(xiàn)了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。
　　2.半導體行業(yè)
　　CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是目前唯一的可以在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術。
　　市面常見拋光液
　　硅材料拋光液、藍寶石拋光液、砷化鎵拋光液、鈮酸鋰拋光液、鍺拋光液、集成電路多次銅布線拋光液、集成電路阻擋層拋光液、研磨拋光液、電解拋光液、不銹鋼電化學拋光液,不銹鋼拋光液、石材專用納米拋光液、氧化鋁拋光液、銅化學拋光液、鋁合金拋光液、鏡面拋光液、銅拋光液、玻璃研磨液、藍寶石研磨液、酸性拋光液、鋁材拋光液、金剛石拋光液、鉆石拋光液、單晶體鉆石研磨液、拋光膏
　　拋光液的分類和應用
　　拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。
　　多晶金剛石拋光液
　　
　　多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質產(chǎn)生劃傷。
　　主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。
　　氧化硅拋光液（CMP拋光液）
　　CMP拋光液是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。
　　廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。　
　　氧化鈰拋光液
　　氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。
　　適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。
　　氧化鋁和碳化硅拋光液
　　是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。
　　主要用于高精密光學儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。